Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111)

Косолобов Сергей Сергеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
kosolobov@isp.nsc.ru
Латышев Александр Васильевич
1. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
2. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
latyshev@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 13.04.2007
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследованы структурные и морфологические трансформации поверхности кремния (111) в условиях повышенной концентрации поверхностных вакансий, сформированных в процессе термического травления кремния молекулярным кислородом. Измерены скорости смещения атомных ступеней при различных давлениях кислорода в сверхвысоковакуумной камере. Проанализировано влияние поверхностных вакансий на диффузию адатомов по поверхности кристалла в условиях воздействия внешнего электрического поля.

Источник финансирования:
Работа частично поддержана РФФИ (грант № 07-02-01003) и Научной школой НШ 8401.2006.8.
Авторы выражают благодарность Е. Е. Родякиной и Д. В. Щеглову за помощь в проведении экспериментов
УДК 539.211.537.533

Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111)
Выходные данные: Косолобов С. С., Латышев А. В. Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111). Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2007. Том 2, № 2. C. 40–50. DOI: 10.54238/1818-7994-2007-2-2-40-50