6. Физика твердого тела, полупроводников, наноструктур

Напряженные состояния сверхпроводящих пленок иттрий-бариевого купрата: исследование на сканирующем туннельном микроскопе

Коноваленко Константин Борисович
1. Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского Омск, Россия
Муравьев Александр Борисович
1. Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского Омск, Россия
muravyev@phys.omsu.omskreg.ru
Серопян Геннадий Михайлович
1. Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского Омск, Россия
Материал поступил в редколлегию 10.02.2007
В данной статье, используя метод туннельной микроскопии и спектроскопии, исследуется доменная структура напряженных тонких высокотемпературных сверхпроводящих пленок иттрий-бариевого купрата. Граница между доменами интерпретируется малоуровневым деформационным потенциалом, в котором локализуются электроны. Наличие заряженной границы приводит к резкому снижению плотности критического тока сверхпроводящих пленок.

УДК 538.945

Напряженные состояния сверхпроводящих пленок иттрий-бариевого купрата: исследование на сканирующем туннельном микроскопе
Выходные данные: Коноваленко К. Б., Муравьев А. Б., Серопян Г. М., Сычев С. А., Югай К. Н. Напряженные состояния сверхпроводящих пленок иттрий-бариевого купрата: исследование на сканирующем туннельном микроскопе. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2007. Том 2, № 2. C. 61–64. DOI: 10.54238/1818-7994-2007-2-2-61-64