Интерференционные эффекты в кондактансе квантовых проволок

Козлов Дмитрий Андреевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
kod@gorodok.net
Квон Зе Дон
1. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
2. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
kvon@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 02.05.2007
Квантование кондактанса (полной проводимости) широко изученных баллистических проволок является точным благодаря плавности их границ, возникающей из-за наличия краевых электростатических полей. Это приводит к подавлению межподзонного и обратного рассеяния и соответственно к квантованию кондактанса в единицах 2e2/ h. В данной работе экспериментально исследованы квантовые проволоки с резкими границами, т. е. с радиусом кривизны порядка длины волны электронов. Они изготовлены на основе двумерного электронного газа (ДЭГ)в гетеропереходе AlGaAs/GaAs с малым расстоянием между ДЭГ и поверхностью структуры (25 нм). В указанных проволоках обнаружено разрушение квантования кондактанса, сопровождающееся появлением интерференционных эффектов, вызванных когерентным рассеянием электронов на резких границах проволок.

Ключевые слова:
нанообъекты, физика низких температур, системы пониженной размерности, двумерный электронный газ, квантовые проволоки, квантовые точечные контакты, электронный транспорт, квантование кондактанса, электронная интерференция
Источник финансирования:
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 05-02-16591) и программ РАН «Квантовые наноструктуры», «Квантовая макрофизика» и «Сильнокоррелированные явления в металлах и полупроводниках»
УДК 537.9; 538.91; 538.91

Интерференционные эффекты в кондактансе квантовых проволок
Выходные данные: Козлов Д. А., Квон З. Д. Интерференционные эффекты в кондактансе квантовых проволок. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2007. Том 2, № 3. C. 72–75. DOI: 10.54238/1818-7994-2007-2-3-72-75