Влияние реконструкционного состояния поверхности на процессы встраивания мышьяка при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия

Подробнее Экспериментально определен коэффициент встраивания (S_As) мышьяка из потока молекул As₄ и As₂ при молекулярнолучевой эпитаксии (МЛЭ) GaAs. Установлено, что S_As не зависит от молекулярной формы мышьяка в потоке, падающего на ростовую поверхность. Показано, что S_As зависит от реконструкционного состояния ростовой поверхности GaAs(001). Поверхность с реконструкциями (4 x 2) и (2 x 4) характеризуется максимальными значениями S_As, равными 0,42 и 0,75 соответственно. Получены зависимости скорости и коэффициента встраивания As от температуры подложки (T_s) и плотности падающего потока мышьяка при МЛЭ GaAs.

Ключевые слова:
GaAs, поверхность, МЛЭ, ДБЭО, реконструкционное состояние
УДК 621.315.592: 538.971; 548.52

Влияние реконструкционного состояния поверхности на процессы встраивания мышьяка при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия