Кинетика реконструкционного перехода (2 x 4) --> (3 x 1(6)) на поверхности арсенида галлия

Подробнее Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) изучались особенности сверхструктурного перехода (2 x 4) -->3 x 1(6)) на поверхности GaAs(100) в условиях, вызванных резким изменением потока мышьяка. Получены зависимости интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭО от времени в процессе данного перехода. Результаты измерений проанализированы в рамках кинетической модели JMAK (Johnson – Melh – Avrami – Kolmogorov). Установлено, что процесс структурной перестройки является двухэтапным и осуществляется через промежуточное состояние разупорядоченния, при этом на поверхности сосуществуют домены с разными реконструкциями. Определены активационные энергии и скорости фазовых переходов для каждого из этапов. Предложена методика прецизионного определения температуры поверхности GaAs(001), использующая особенности кинетики реконструкционного перехода (2 x 4) -->3 x 1(6)).

Ключевые слова:
GaAs, поверхность, ДБЭО, реконструкционное состояние
УДК 621.315.592:548.736.324;538.971:548.51;537.533.73

Кинетика реконструкционного перехода (2 x 4) --> (3 x 1(6)) на поверхности арсенида галлия