Методы получения структурно-совершенной поверхности арсенида индия

Подробнее Исследовались способы получения гладкой поверхности подложек InAs(111)A. Пластины обрабатывались в различных травильных средах с последующим вакуумным отжигом с использованием потока индия и без него. После удаления окисного слоя проводилось наращивание слоя InAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. На каждом этапе морфология поверхности контролировалась методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что обработка в растворе HCl в изопропиловом спирте при последующем термическом отжиге позволяет получить более гладкую поверхность. Использование индия в процессе отжига усиливает этот эффект. Были определены режимы термодесорбции окисла с поверхности InAs(111)A в вакууме и в потоке индия, а также определен характер изменения шероховатости поверхности с увеличением толщины выращенного эпитаксиального слоя.

Ключевые слова:
морфология поверхности, InAs, химическая обработка, вакуумный отжиг, эпитаксиальный рост
УДК 621.315.592:548.736.324:538.971;537.533.73

Методы получения структурно-совершенной поверхности арсенида индия