Роль реконструкционных состояний в формировании рельефа поверхности арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге

Подробнее Методами ДБЭО и АСМ изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs(001) в процессе МЛЭ роста и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхно-сти с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs(001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при МЛЭ росте в условиях существования реконструкции (2 x 4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs(001) отжигом в потоке мышьяка.

Ключевые слова:
GaAs, морфология поверхности, реконструкция, вакуумный отжиг, молекулярно-лучевая эпитаксия
УДК 538.911; 538.913; 537.874.6

Роль реконструкционных состояний в формировании рельефа поверхности арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге