Сверхпроводящие тонкие пленки иттрий-бариевого купрата, выращенные на напряженных подложках
Подробнее
Ключевые слова:
сверхпроводящая тонкая пленка, механические напряжения, импульсное лазерное излучение, джозефсоновский переход, монокристаллическая подложка
УДК 538.945
Сверхпроводящие тонкие пленки иттрий-бариевого купрата, выращенные на напряженных подложках
Материал поступил в редколлегию 04.08.2008
Статья посвящена проблеме формирования на монокристаллической подложке сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока, требуемыми для изготовления сверхпроводниковых приборов. Метод основан на создании в кристалле подложки полей упругих механических напряжений при облучении кристалла сфокусированным импульсным лазерным излучением наносекундной длительности. На облученной подложке выращивают сверхпроводящую тонкую пленку, в которой формируются дополнительные упругие напряжения только в области, расположенной над облученным участком подложки. При этом плотность критического тока пленки подавляется до требуемых значений, необходимых для изготовления джозефсоновских переходов. Длительные наблюдения показывают, что сверхпроводящие транспортные свойства пленок не подвергаются существенному изменению в процессе хранения.Ключевые слова:
сверхпроводящая тонкая пленка, механические напряжения, импульсное лазерное излучение, джозефсоновский переход, монокристаллическая подложка
УДК 538.945
Сверхпроводящие тонкие пленки иттрий-бариевого купрата, выращенные на напряженных подложках Выходные данные: Захаров А. В., Муравьев А. Б., Позыгун И. С., Серопян Г. М., Сычев С. А., Яшкевич Е. А. Сверхпроводящие тонкие пленки иттрий-бариевого купрата, выращенные на напряженных подложках. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2008. Том 3, № 4. C. 25–32. DOI: 10.54362/1818-7919-2008-3-4-25-32