Кристаллизация кластеров аморфного кремния в пленках SiNx на стекле с применением наносекундных импульсных обработок излучением KrF-лазера

Подробнее Интерес к полупроводниковым нанокристаллам в диэлектрической матрице вызван проявлением в них квантово-размерного эффекта уже при комнатной температуре. Был предложен и реализован способ кристаллизации кластеров аморфного кремния, содержащихся в пленках SiN_x (0,6 < x < 1,3), осажденных на стеклянных подложках. Способ основан на применении наносекундных импульсных обработок излучением KrF-лазера. Большая энергия кванта излучения (5 электрон-вольт) приводит к эффективному поглощению лазерного излучения в пленках SiN_x, вызывая импульсный нагрев и кристаллизацию аморфных кластеров кремния. Анализ фазового состава кластеров проводился с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света.

Ключевые слова:
лазерная кристаллизация, нанокристаллы, нанокластеры, кремний, нитрид кремния
УДК 537.9, 536.4

Кристаллизация кластеров аморфного кремния в пленках SiNx на стекле с применением наносекундных импульсных обработок излучением KrF-лазера