- Сибирский физический журнал
- Архив
- 2010
- Том 5. Номер 1
- Физика твердого тела, полупроводников, наноструктур
Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
Качко Александр Станиславович
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
kachko.alex@gmail.com
Ваховский Владислав Николаевич
1. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
Володин Владимир Алексеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 12.10.2009
Исследован ангармонизм фононов в кремнии, проявляющийся в зависимости частоты пика в спектре комбинационного рассеяния от температуры, в диапазоне от 80 до 900 K. Полученные данные позволят уточнить методику определения средних размеров кремниевых нанокристаллов из анализа спектров комбинационного рассеяния света в случае, если в процессе снятия спектра нанокристаллы находятся при температуре, отличной от комнатной.Ключевые слова:
комбинационное рассеяние света, фононы, ангармонизм, кремний, нанокристаллы
УДК 537.9, 536.4
Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
Выходные данные: Качко А. С., Ваховский В. Н., Володин В. А. Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2010. Том 5, № 1. C. 48–55. DOI: 10.54362/1818-7919-2010-5-1-48-55