Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор)
Материал поступил в редколлегию 12.12.2009
Характеристики фотоприемных устройств для инфракрасного диапазона, изготовленных на основе эпитаксиальных пленок кадмий – ртуть – теллур р-типа, во многом определяются рекомбинационно-диффузионными параметрами неосновных носителей заряда. Исследование поведения неравновесных носителей заряда в пленках, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля, позволяет найти эти параметры. В настоящей работе проведен обзор литературы, посвященной изучению неравновесных свойств фотогенерированных носителей заряда методами фотомагнитного эффекта, фотопроводимости в магнитном поле для геометрии Фойгта и Фарадея.Ключевые слова:
узкозонные полупроводники, эпитаксиальные пленки, фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационные параметры
УДК 621.315.592
Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор) Выходные данные: Костюченко В. Я. Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор). Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2010. Том 5, № 1. C. 66–81. DOI: 10.54362/1818-7919-2010-5-1-66-81