Электрические параметры ТГц детекторов на кремниевых n-канальных МОП-транзисторах с внешним усилителем

Подробнее Исследуется влияние внешнего нагрузочного сопротивления на чувствительность ТГц детекторов на Si nканальных МОП-транзисторах по напряжению и току при частоте излучения ν=142 ГГц. Описывается уровень шума в полосе частот, необходимый для отображения в реальном времени. Исследовались транзисторы с шириной и длиной затвора в пределах 1×1 µм² и 20×20 µм². Показано, что внутреннее сопротивление и внешнее нагрузочное сопротивление образуют делитель, параметры которого важны для согласования с устройствами считывания.

Ключевые слова:
ТГц приемники, полевые транзисторы, согласующие усилители
УДК 538.9

Электрические параметры ТГц детекторов на кремниевых n-канальных МОП-транзисторах с внешним усилителем