Полевое уширение резонансов насыщенного поглощения в газе 13CH3F

Остапенко Елена Сергеевна
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
Ледовских Дмитрий Васильевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
dvledovskikh@isp.nsc.ru
Рубцова Наталия Николаевна
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 15.12.2010
Исследованы резонансы насыщенного поглощения в газе 13CH3F на колебательно-вращательном переходе R(4,3) 0–1 колебательной моды ν3, зарегистрированные в пропускании пробной волны излучения в присутствии однонаправленной насыщающей волны. Ширина резонансов насыщенного поглощения нарастает с ростом интенсивности насыщающего излучения. В пределе сильного насыщения форма резонансов отличается от лоренцевской более резким спаданием сигнала на крыльях резонанса, а их ширина позволяет оценить величину дипольного момента перехода d = 0,045 Д, что хорошо согласуется с литературными данными для данного перехода 13CH3F.

Ключевые слова:
полевое уширение, резонансы насыщенного поглощения, столкновительное уширение
УДК 535.343

Полевое уширение резонансов насыщенного поглощения в газе 13CH3F
Выходные данные: Остапенко Е. С., Ледовских Д. В., Рубцова Н. Н. Полевое уширение резонансов насыщенного поглощения в газе 13CH3F. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2011. Том 6, № 1. C. 9–15. DOI: 10.54362/1818-7919-2011-6-1-9-15