Фотоэлектромагнитный комплекс методов определения рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа
Материал поступил в редколлегию 03.11.2010
В работе предлагается развитый для эпитаксиальных пленок кадмий – ртуть – теллур р-типа фотоэлектромагнитный комплекс методов определения рекомбинационно-диффузионных параметров при температуре 77÷125 K. Комплекс включает в себя методы, основанные на измерении фотопроводимости в магнитном поле для геометрий Фойгта и Фарадея, фотомагнитного эффекта, эффекта Холла и магнитосопротивления.Ключевые слова:
узкозонные полупроводники, эпитаксиальные пленки, фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационные параметры
УДК 621.315.592
Фотоэлектромагнитный комплекс методов определения рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа Выходные данные: Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю. Фотоэлектромагнитный комплекс методов определения рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2011. Том 6, № 1. C. 104–115. DOI: 10.54362/1818-7919-2011-6-1-104-115