Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111)

Родякина Екатерина Евгеньевна
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
rodyakina@isp.nsc.ru
Косолобов Сергей Сергеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
kosolobov@isp.nsc.ru
Латышев Александр Васильевич
1. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
2. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
latyshev@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 18.04.2011
Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии показано существование градиента концентрации адатомов по поверхности между эшелонами ступеней в условиях сублимации, гомоэпитаксиального роста и квазиравновесия на поверхности кремния (111) при температурах выше 900 ºС. Экспериментально подтверждено наличие у адатомов отрицательного (при 1 100 ºС) и положительного (при 1 300 ºС) эффективного заряда. Установлено, что знак эффективного заряда не зависит от величины пересыщения на поверхности. На основе полученных экспериментальных данных приведена оценка величины эффективного заряда адатома при 1 280 ºС, составившая от 0,07 ± 0,01 до 0,17 ± 0,02 от величины заряда электрона.

Ключевые слова:
атомные ступени, поверхность кремния, электромиграция, эффективный заряд адатома
Источник финансирования:
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 10-02- 01011) и грантов Министерства образования и науки
УДК 539.211.537.533

Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111)
Выходные данные: Родякина Е. Е., Косолобов С. С., Латышев А. В. Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111). Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2011. Том 6, № 2. C. 65–76. DOI: 10.54362/1818-7919-2011-6-2-65-76