- Сибирский физический журнал
- Архив
- 2011
- Том 6. Номер 2
- Физика твердого тела, полупроводников, наноструктур
Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111)
Родякина Екатерина Евгеньевна
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
rodyakina@isp.nsc.ru
Косолобов Сергей Сергеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
kosolobov@isp.nsc.ru
Латышев Александр Васильевич
1. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
2. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
latyshev@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 18.04.2011
Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии показано существование градиента концентрации адатомов по поверхности между эшелонами ступеней в условиях сублимации, гомоэпитаксиального роста и квазиравновесия на поверхности кремния (111) при температурах выше 900 ºС. Экспериментально подтверждено наличие у адатомов отрицательного (при 1 100 ºС) и положительного (при 1 300 ºС) эффективного заряда. Установлено, что знак эффективного заряда не зависит от величины пересыщения на поверхности. На основе полученных экспериментальных данных приведена оценка величины эффективного заряда адатома при 1 280 ºС, составившая от 0,07 ± 0,01 до 0,17 ± 0,02 от величины заряда электрона.Ключевые слова:
атомные ступени, поверхность кремния, электромиграция, эффективный заряд адатома
Источник финансирования:
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 10-02- 01011) и грантов Министерства образования и науки
УДК 539.211.537.533
Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111)
Выходные данные: Родякина Е. Е., Косолобов С. С., Латышев А. В. Электромиграция адатомов кремния на поверхности кремния (111). Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2011. Том 6, № 2. C. 65–76. DOI: 10.54362/1818-7919-2011-6-2-65-76