Формирование и свойства нанопериодических многослойных структур Si/SiO2, полученных в плазмохимическом реакторе индукционного типа

Камаев Геннадий Николаевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
kamaev@isp.nsc.ru
Ефремов Михаил Дмитриевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
efremov@isp.nsc.ru
Антоненко Александр Харитонович
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
Материал поступил в редколлегию 14.10.2011
Созданы многослойные нанопериодические структуры (МНС) с чередующимися сверхтонкими слоями SiO2 и аморфного кремния (α-Si:H) и исследованы их свойства. Структуры были получены путем многократного повторения циклов осаждения пленок α-Si:H с последующим их частичным окислением в плазме кислорода. Свойства полученных структур проанализированы с помощью электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электрофизических измерений.

Ключевые слова:
многослойные нанопериодические структуры, сверхтонкие пленки SiO2, плазмохимическое осаждение, зарядка состояний в диэлектрике
Источник финансирования:
Исследования выполнены при поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009–2013 гг. (№ П1283) и РФФИ (№ 09-07-00248а). Авторы выражают благодарность А. Г. Черкову за проведение исследований структур с помощью электронной высокоразрешающей микроскопии
УДК 621.315.592

Формирование и свойства нанопериодических многослойных структур Si/SiO2, полученных в плазмохимическом реакторе индукционного типа
Выходные данные: Камаев Г. Н., Ефремов М. Д., Антоненко А. Х., Володин В. А., Аржанникова С. А., Марин Д. В, Гисматулин А. А. Формирование и свойства нанопериодических многослойных структур Si/SiO2, полученных в плазмохимическом реакторе индукционного типа. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2011. Том 6, № 4. C. 107–114. DOI: 10.54362/1818-7919-2011-6-4-107-114