Исследование метода определения оптических параметров, основанного на измерении углов падения

Предложен метод определения действительной и мнимой частей показателя преломления n(λ) и κ(λ) тонких слоев в полупроводниковых гетероструктурах. Метод основан на измерении двух характерных углов на кривых отражения от образца, образованного подложкой с выращенной поверх нее гетероструктурой, для p-поляризованной волны. Первый характерный угол θ₁ представляет собой аналог угла Брюстера, второй угол θ₂ соответствует точке перегиба кривой. Проведены измерения θ₁ и θ₂ для двух образцов, выращенных на подложках GaAs. Предложен и опробован алгоритм извлечения из измерений n(λ) и κ(λ) для слоев квантовых ям в гетероструктурах.

Ключевые слова:
показатель преломления, оптические свойства полупроводников, многослойные гетероструктуры, неразрушающая диагностика
УДК 537.874.31, 535.321.9

Исследование метода определения оптических параметров, основанного на измерении углов падения