Особенности магнетосопротивления двухслойного монокристаллического манганита La1,4Sr1,6Mn2O7

Представлены результаты исследования магнетосопротивления на двухслойном монокристаллическом манганите лантана La_1,4Sr_1,6Mn₂O₇ при пропускании транспортного тока вдоль оси с (j || c) и приложении внешнего магнитного поля H|| j и H ┴ j . В монокристалле La_1,4Sr_1,6Mn₂O₇ в случае, когда H┴ j, помимо присущего всем замещенным манганитам лантана отрицательного магнетосопротивления в температурном диапазоне T < 60 K, обнаружен эффект положительного магнетосопротивления. Механизм возникновения данного эффекта принципиально отличается от эффекта колоссального магнетосопротивления, присущего всем манганитам лантана. Мы считаем, что появление положительного магнетосопротивления вызвано спин-зависимым туннелированием носителей между марганец-кислородными бислоями, при данной конфигурации «магнитное поле – ток», и может быть объяснено особенностями магнитной структуры данных составов.