Чувствительность к беспорядку графеноподобных решеток квантовых точек и антиточек в двумерном электронном газе

Мы сравниваем трехмерную электростатику полупроводниковых структур с графеноподобными решетками квантовых точек и антиточек, сформированными в плоскости двумерного электронного газа. При заданной постоянной решетки, форма потенциала может быть подстроена таким образом, что обе решетки имеют минизонный спектр с выраженной второй дираковской особенностью, не перекрытой другими состояниями. Однако чувствительность решетки квантовых точек к ошибкам технологии остается более высокой, поскольку источники беспорядка на поверхности структуры в случае квантовых точек находятся над потенциальными ямами, заполненными электронами, а в случае антиточек – над потенциальными горбами (областями обеднения), где нет электронов. Таким образом, решетка антиточек оказывается более предпочтительной для получения полупроводникового искусственного графена.