Формирование двумерных отрицательных островков при быстром охлаждении ультраплоской поверхности Si(111)

Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной и ex situ атомно-силовой микроскопии проведены исследования морфологических трансформаций ультраплоской ступенчатой поверхности кремния (111), содержащей широкие (20–50 мкм в диаметре) сингулярные террасы, в процессе сублимации и при быстром охлаждении от высоких температур. Обнаружено формирование двумерных отрицательных «вакансионных» островков на широких террасах при закалке от температур выше 1 200°С. Показано, что изменение критического размера террасы, при котором происходит зарождение нового двумерного отрицательного островка, связывается с изменением атомного механизма массопереноса на поверхности кремния.