Кинетика отражения полупроводникового быстродействующего зеркала

Форма кинетических кривых отражения полупроводникового быстродействующего зеркала A₃B₅ с насыщающимся поглощением исследована одночастотным методом накачки-зондирования с центральной длиной волны 1 035 нм, с длительностью импульсов 130 фс, следующих с частотой повторения 70 МГц, в диапазоне интенсивности возбуждающего излучения 0,16–5,44 ГВт/см². Проведено моделирование и сравнение с экспериментом. Показано, что нарастание сигнала определяется фронтом импульса фемтосекундного излучения и временем жизни экситонов; короткий пик в начале кривой отражает процесс ионизации экситонов. Вклад свободных носителей проявляется через время установления квазиравновесия порядка 1 пс, а исчезает с характерным временем электронно-дырочной рекомбинации около 10 пс, что определяет быстродействие зеркала.

Ключевые слова:
квантовые ямы, быстродействующие полупроводниковые зеркала A₃B₅ с насыщением поглощения, пассивная синхронизация мод лазеров
Благодарности:
Авторы выражают признательность сотрудникам ИФП СО РАН кандидатам физико-математических наук В. В. Преображенскому, Б. Р. Семягину, М. А. Путято за изготовление образца зеркала
УДК 535:621.373.826:539

Кинетика отражения полупроводникового быстродействующего зеркала