Параметры спектрально-разрешенной термолюминесценции гексагонального нитрида бора

Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (C_N-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B- и 3B-центров) и дырочных (С_N-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек на уровни 1B- и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.

Ключевые слова:
h-BN, вакансия азота, одноборный и трехборный центр, примесь кислорода и углерода, электронные и дырочные ловушки, туннельный эффект
УДК 535.377

Параметры спектрально-разрешенной термолюминесценции гексагонального нитрида бора