Эффект электромиграции на поверхности кремния (001) в условиях гомоэпитаксии

Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии исследованы начальные стадии объединения атомных ступеней в эшелоны в условиях электромиграции на поверхности кремния (001) при гомоэпитаксиальном росте и сублимации при температуре 1100 °С. Получены степенные временные зависимости среднего расстояния между эшелонами атомных ступеней и ширины террас между эшелонами. Установлено, что показатели степени при росте и сублимации различны и меньше величины 0,5, ранее экспериментально измеренной при длительном времени эшелонирования. Обнаружено, что при увеличении потока атомов на поверхность рост амплитуды флуктуации ступеней препятствуют объединению ступеней на начальных стадиях эшелонирования.

Ключевые слова:
поверхность кремния, электромиграция, эпитаксиальный рост, атомные ступени
Источник финансирования:
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 16-32-60199 «мол_а_дк»)
УДК 539.211.537.533

Эффект электромиграции на поверхности кремния (001) в условиях гомоэпитаксии