6. Физика твердого тела, полупроводников, наноструктур

Генерация второй гармоники в тонкой пленке Al0,1Ga0,9N

Борисов Геннадий Михайлович
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
gennadiy.m.borisov@gmail.com
Гольдорт Вениамин Гершевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
goldort@academ.org
Журавлёв Константин Сергеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН пр. Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
2. Новосибирский государственный университет ул. Пирогова, 2, Новосибирск, 630090, Россия
Материал поступил в редколлегию 15.03.2018
Вторая гармоника излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в пропускании тонкой пленки Al0,1Ga0,9N, выращенной на монокристалле сапфира ориентации (0001), не обнаруживает насыщения для интенсивностей инфракрасной накачки до 200 МВт/см2. Излучение второй гармоники p-поляризации зарегистрировано как для накачки p-поляризации, так и для накачки s-поляризации; во втором случае сигнал второй гармоники существенно ниже. Для обоих случаев поляризации накачки сигнал второй гармоники отсутствует при нормальном падении излучения и достигает максимального значения для угла падения около 50° с последующим уменьшением. Обнаружены признаки латеральной неоднородности образца на уровне 5 %, обсуждается отсутствие азимутальной зависимости, соответствующей оси симметрии шестого порядка.

Ключевые слова:
генерация второй гармоники, наноразмерные полупроводниковые материалы A3B5
Источник финансирования:
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 16-02-00018
УДК 535:621.373.826:539

Генерация второй гармоники в тонкой пленке Al0,1Ga0,9N
Выходные данные: Борисов Г. М., Гольдорт В. Г., Журавлёв К. С., Ковалёв А. А., Кочубей С. А., Ледовских Д. В., Малин Т. В., Рубцова Н. Н. Генерация второй гармоники в тонкой пленке Al0,1Ga0,9N. Сибирский физический журнал. 2018. Том 13, № 2. C. 64–69. DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13-2-64-69