- Сибирский физический журнал
- Архив
- 2018
- Том 13. Номер 2
- Физика твердого тела, полупроводников, наноструктур
Влияние примесных центров и процессов рекомбинации на фоточувствительность фотоэлементов
Аликулов Муйсин Нортошевич
1. Каршинский инженерно-экономический институт проспект Мустакиллик, 225, Карши, Узбекистан
Материал поступил в редколлегию 15.03.2018
Рассматриваются фотоэлектрические явления в солнечных батареях, а также влияние примесных атомов и рекомбинационных процессов на фоточувствительность фотоэлементов. Разъяснена связь скорости рекомбинации в полупроводниках с концентрацией носителей неравновесного заряда, образующейся под воздействием света. Также показана зависимость времени жизни носителей заряда с расположением центров рекомбинации.
Ключевые слова:
кремний, фотоэлемент, примесь, генерация, рекомбинация, полупроводник, фоточувствительность, солнечная батарея
УДК 621.315.592
Влияние примесных центров и процессов рекомбинации на фоточувствительность фотоэлементов
Ключевые слова:
кремний, фотоэлемент, примесь, генерация, рекомбинация, полупроводник, фоточувствительность, солнечная батарея
УДК 621.315.592
Влияние примесных центров и процессов рекомбинации на фоточувствительность фотоэлементов
Выходные данные: Аликулов М. Н. Влияние примесных центров и процессов рекомбинации на фоточувствительность фотоэлементов. Сибирский физический журнал. 2018. Том 13, № 2. C. 80–85. DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85