Формирование слоев пористого германия и их исследование оптическими методами

Горохов Евгений Борисович
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН пр. Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
gorokhov@isp.nsc.ru
Астанкова Ксения Николаевна
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН пр. Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
Володин Владимир Алексеевич
1. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Новосибирск, Россия
2. Новосибирский государственный университет Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
Материал поступил в редколлегию 01.07.2018
Пленки пористого германия получали путем селективного удаления матрицы GeO2 из гетерослоев GeO2<GeНК> в деионизованной воде или HF. На основе данных ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) было сделано предположение, что после травления гетерослоев GeO2<Ge-НК> формируется устойчивый каркас скелетного типа из слипшихся Ge наночастиц. В сформированных пленках пористого германия размеры Ge нанокристаллов уменьшались за счет окисления на воздухе и проявлялся эффект резонансного КРС. Резонансное КРС сопровождалось возникновением фотолюминесценции (ФЛ) (полосы в диапазоне 2,1–2,5 и 1,5–1,7 эВ) при возбуждении лазером с энергией кванта 2,6 эВ при комнатной температуре. Сигналы ФЛ в диапазоне 2,1–2,5 эВ можно объяснить высокоэнергетическими переходами в Ge нанокристаллах.

Ключевые слова:
пористый германий, резонансное комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция
Источник финансирования:
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 16-07-00975.
Авторы статьи благодарны аспиранту ИФП СО РАН Г. К. Кривякину за исследование пленок пористого Ge методом фотолюминесценции
УДК 535.37; 538.958

Формирование слоев пористого германия и их исследование оптическими методами
Выходные данные: Горохов Е. Б., Астанкова К. Н., Володин В. А., Кравцова А. Ю., Латышев А. В. Формирование слоев пористого германия и их исследование оптическими методами. Сибирский физический журнал. 2018. Том 13, № 3. C. 78–81. DOI: 10.25205/2541-9447-2018-13-3-78-81