Прохождение электрона через туннельный плавный барьер в высокочастотном поле

Численно изучено фотонно-ассистированное прохождение электрона через одномерный плавный барьер, моделирующий потенциал в нижней энергетической подзоне квантового точечного контакта. Показано, что на зависимостях коэффициента прохождения от энергии присутствуют плечеобразные особенности, которые на частотных зависимостях трансформируются в максимумы. Особенности вызваны переходами в канал с энергией, близкой к вершине барьера, при поглощении одного, двух или трех фотонов, и их положение не зависит от амплитуды высокочастотного поля. С понижением частоты фотон-индуцированные ступени исчезают, но в производной коэффициента прохождения от энергии остаются два пика, равноотстоящие по энергии от средней высоты барьера на амплитуду колебаний высоты барьера. Найденные особенности предлагается наблюдать экспериментально при облучении полупроводниковой структуры с квантовым точечным контактом на частотах 0,01–1,7 ТГц.

Ключевые слова:
туннелирование, надбарьерное прохождение, квантовый точечный контакт, ступень кондактанса, микроволны, терагерцы, низкочастотные особенности, фотонно-ассистированное прохождение
Благодарности:
Работа поддержана проектом РНФ № 14-22-00143.
Мы признательны З. Д. Квону и С. Д. Ганичеву за стимулирующие обсуждения
УДК [538.935 +535.215]: 530.145

Прохождение электрона через туннельный плавный барьер в высокочастотном поле