Исследование двухфотонного поглощения фемтосекундного ИК излучения методом «накачка – зондирование» в отражении от пластинки GaAs (001)

Исследовано отражение от подложки арсенида галлия ориентации (001) инфракрасного пробного фемтосекундного излучения в присутствии более мощных импульсов накачки того же излучения с пиковой мощностью до 1 ГВт/см². Лазер Yb³⁺:KY(WO₄)₂ с центральной длиной волны 1035 нм, с частотой повторения 70 МГц, длительностью импульсов 130 фс и средней мощностью не более 0,9 Вт работал в области прозрачности GaAs. Экспериментальная зависимость регистрируемого сигнала от интенсивности излучения накачки на качественном уровне совпадает с модельной зависимостью для двухфотонного поглощения. Результаты важны для правильной интерпретации кинетики отражения от слоя квантовых ям.

Ключевые слова:
двухфотонное поглощение, накачка – зондирование, фемтосекундные импульсы излучения
Источник финансирования:
Исследование выполнено при финансовой поддержке гранта РФФИ № 18-29-20007 и гранта РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 18-42-543001
УДК 535: 621.373.826: 539

Исследование двухфотонного поглощения фемтосекундного ИК излучения методом «накачка – зондирование» в отражении от пластинки GaAs (001)