Получение и морфологические исследования эпитакcиальных слоев твердого раствора Si1–xGex

Показан выбор оптимального режима технологического процесса роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Si_1–xGe_x из оловянного и галлиевого раствора – расплава на подложку Si<111> с наименьшими плотностями дислокаций, которые достигнуты нами экспериментально. Обнаружена экспоненциальная зависимость между величинами плотности дислокации и толщины пленки. С плавным переменным составом структуры, соответственно плавно изменяя параметры решетки варизонного твердого раствора, получены структурно совершенные эпитаксиальные слои Si_1–xGe_x (0 < x < 1).

Ключевые слова: 
эпитаксия, кристаллизация, раствор-расплав, твердый раствор, гетероструктура, дислокация, подложка 
Источник финансирования: 
Работа выполнена по гранту ФА-Ф2-003 АН РУз: «Фото-, теплоэлектрические и излучательные эффекты в новых многокомпонентных твердых растворах с нанокристаллами на основе молекул элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений»
УДК 621.315.592

Получение и морфологические исследования эпитакcиальных слоев   твердого раствора Si_1–xGe_x