Особенности определения оптических параметров (n и к) полупроводниковой гетероструктуры из спектров пропускания и отражения

Аннотация
Спектры показателя преломления n и коэффициента экстинкции κ тонкой пленки, образуемой гетероструктурой в виде сверхрешетки In_0,2Ga_0,8As/GaAs, определяются из сравнения измеренных коэффициентов отражения и пропускания образца, выращенного на подложке GaAs, с соответствующими характеристиками, рассчитанными матричным методом. Значения n и κ сверхрешетки находятся из процедуры минимизации по параметрам n и κ целевой функции F(n, κ), образованной суммой модулей разностей измеренных и рассчитанных коэффициентов отражения и пропускания.

Ключевые слова
оптика тонких пленок, преломление, экстинкция
Благодарности
Автор признателен сотрудникам ИФП СО РАН канд. физ.-мат. наук Б. Р. Семягину за выращивание образца полупроводниковой сверхрешетки и д-ру физ.-мат. наук Н. Н. Рубцовой за полезные обсуждения.
УДК 535:621.373.826:539

Особенности определения оптических параметров (n и к) полупроводниковой гетероструктуры из спектров пропускания и отражения