Формализм «магнетосечений» D–(A+)-центров при резонансном рассеянии носителей заряда в невырожденных полупроводниках

Развит новый подход к изучению кинетических эффектов в ковалентных полупроводниках. На примере расчета кинетических коэффициентов при резонансном рассеянии демонстрируются некоторые особенности предлагаемого подхода. Изучается влияние предельно слабого магнитного поля на кинетические эффекты. В отличие от стандартного метода, учитывающего наличие Н-поля в неравновесной функции распределения с последующим получением искомых формул для кинетических коэффициентов, в предлагаемом подходе наличие (влияние) слабого Н-поля фиксируется в качестве локального (виртуального) приращения сечения конкретного рассеяния, в данном случае резонансного. Формальная замена  позволяет сравнительно легко проанализировать влияние поля на кинетические эффекты. Показано, что при наличии Н-поля электронная проводимость достигает максимума вблизи 1 K в области полей порядка 100 Э. В процессе расчета выявляется общность результатов при любом механизме рассеяния. Главное требование сводится к тому, чтобы низкотемпературная асимптотика <I>_{r →0} конкретного механизма рассеяния была постоянной.
Ключевые слова:
кинетические коэффициенты, резонансное рассеяние, D^–(A⁺)-центры, классические слабые и сильные магнитные поля, магнетосечение
УДК 537.311.33

Формализм «магнетосечений» D–(A+)-центров при резонансном рассеянии носителей заряда в невырожденных полупроводниках