Трехсекционная дрейфово-диффузионная математическая модель полевого транзистора с барьером Шоттки
Материал поступил в редколлегию 25.11.2014
Предложена трехсекционная дрейфово-диффузионная математическая модель полевого транзистора с барьером Шоттки. Она учитывает накопление носителей заряда в дополнительно введенной третьей секции, что существенно повышает точность расчета пологой области вольт-амперных характеристик таких транзисторов. Это важно для разработчиков как этих транзисторов, так и усилительных и автогенераторных СВЧ-устройств.
Ключевые слова: математическая модель, барьер Шоттки, СВЧ-устройство
УДК 621.382.333
Трехсекционная дрейфово-диффузионная математическая модель полевого транзистора с барьером Шоттки Выходные данные: Савелькаев С. В., Айрапетян В. С., Литовченко В. А. Трехсекционная дрейфово-диффузионная математическая модель полевого транзистора с барьером Шоттки. Журнал Вестник НГУ. Cерия Физика. 2015. Том 10, № 1. C. 57–62. DOI: 10.54362/1818-7919-2015-10-1-57-62