Формирование «прореженных» двумерных фотонных кристаллов в кремнии

Исследованы особенности взаимодействия остросфокусированного пучка электронов с резистом PMMA-950K при изготовлении в нем близко расположенных пор при их неоднородном пространственном распределении. Подобраны технологические параметры изготовления «прореженных» двумерных фотонных кристаллов в кремнии с использованием сканирующей электронной литографии, позволяющие получать структуры с погрешностью латеральных размеров, не превышающей 2 % с учетом ошибок измерений. Достигнутая точность изготовления пор является достаточной для исследования эффектов интерференции при излучении массива полостей в двумерных фотонных кристаллах.